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ALD制程可望成为64层以上3DNANDFlash解决方案

发布时间:2024-01-29 人气:

本文摘要:横向地下通道填满金属系3DNANDFlash朝64层以上横向填充发展的关键课题之一,原子层沉积(AtomicLayerDeposition;ALD)制程可于高深宽比(HighAspectRatio)横向地下通道中,大面积构成均匀分布性薄膜,且不具备较好的阶梯覆盖性(StepCoverage),故限于于更加多层3DNANDFlash横向地下通道填满金属,然其不存在沉积速度较快及所需材料成本较高等问题。

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横向地下通道填满金属系3DNANDFlash朝64层以上横向填充发展的关键课题之一,原子层沉积(AtomicLayerDeposition;ALD)制程可于高深宽比(HighAspectRatio)横向地下通道中,大面积构成均匀分布性薄膜,且不具备较好的阶梯覆盖性(StepCoverage),故限于于更加多层3DNANDFlash横向地下通道填满金属,然其不存在沉积速度较快及所需材料成本较高等问题。ALD系化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition;CVD)的一种,与另一CVD技术电浆辅助化学气相沉积(Plasma-EnhancedCVD;PECVD)互为较,ALD使用依序流经第一种与第二种前驱物(Precursor)作为反应气体的方式,来蒸镀薄膜,此不同于PECVD运用电浆的蒸镀技术,同时蒸镀两种以上前驱物展开化学反应。仔细观察ALD的优点,其可精确掌控膜薄,以原子级精准度构成大面积的均匀分布薄膜,且适合于在凹凸结构蒸镀阶梯覆盖性欠佳的薄膜,反观PECVD则容易在凹凸结构或深孔图样达成协议厚度完全一致的薄膜,故ALD制程有望沦为64层以上3DNANDFlash横向地下通道填满金属的解决方案。

不过,ALD因依序流经反应气体以蒸镀薄膜,其沉积速度较PECVD快,比较须要较长制程时间,且ALD所需前驱物数量较多,不易使沉积成本增加。3DNANDFlash朝64层以上发展,需于沉积与转印面改进薄膜沉积、横向跨越地下通道、地下通道填满金属等制程,其中,薄膜沉积制程时间缩短,横向跨越地下通道需改采行成本较高的干式转印技术,而地下通道填满金属所需ALD制程亦不存在制程时间与成本增加等问题,使得如何因应成本上升将出3DNANDFlash发展更加多层技术的最重要课题。

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